PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設置合適的長晶溫度以及長晶氣壓,在此溫度以及氣壓下SiC發生明顯的分解與升華,產生Si和SiC蒸氣壓,在高溫爐內形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低溫度處,形成SiC晶體.
Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長系統是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域??梢陨L6/8英寸的晶錠。
PVT碳化硅晶體生長工藝主要通過設置合適的長晶溫度以及長晶氣壓,在此溫度以及氣壓下SiC發生明顯的分解與升華,產生Si和SiC蒸氣壓,在高溫爐內形成的溫度梯度作用下向低溫方向輸送并凝聚在頂部和底部較低溫度處,形成SiC晶體.
Intelligent PVT SiC System (IPS)系列SiC晶體生長系統是實現高質量SiC晶體生長、高純度原料合成、高溫晶體熱處理的專業設備。廣泛應用于SiC晶體生長、原料合成、晶體熱處理領域??梢陨L6/8英寸的晶錠。